Servizio 12: Rimozione di film e residui superficiali in plasma barrel con gas O2/CHF3

Fornito da Scuola Superiore Sant'Anna

Questo servizio di clean-room per wafer di silicio consente di ottimizzare le condizioni di processo per modulare le velocità di attacco (scavo) e di minimizzare i danni indotti sulle superfici dal bombardamento ionico per ottenere selettività molto alta su film polimerici e organici.